IGBT 选型：模块、驱动与功率应用
单管 vs 模块
单管 IGBT（TO-247 等）用于中小功率与分立设计；IGBT 模块（半桥/全桥、EMCON/D-Bond 等封装）用于 >10kW 场景，集成二极管、内置温度传感器（RC/NTC）、低杂散电感。选型先定功率等级与拓扑（两电平/三电平），再选封装与并联路数。
关键参数
Vce（按系统电压降额 20~30%）、IC（连续集电极电流，注意 derating 曲线）、Vce(sat)（导通压降决定导通损耗）、Eon/Eoff（开关能量，高频场景主导损耗）、di/dt 耐受（并联均流与短路保护）。模块级还要看杂散电感（影响开通尖峰）与热阻。
栅极驱动与保护
驱动电压 +15/-8V 典型（模块），驱动回路低电感布局（功率回路与驱动回路分开）；短路保护（SC）窗口按器件 datasheet 的 tsc 设置（典型 2~10μs，过慢会二次击穿）；欠压/过温/过流三级保护。罗姆/英飞凌/赛米控丹佛斯/威科均有完整驱动配套方案，信和达 FAE 可协助。
应用与 SiC 替代
光伏/储能逆变器：650V~1200V 模块，关注 MPPT 效率与组串隔离；新能源车电驱：750V~1200V SiC MOS/IGBT，油冷/风冷按功率密度；工业电机：400V 模块主流。1200V 以上与高频场景 SiC 模块已具经济性，650V 以下 IGBT 仍是成本最优解。信和达代理罗姆/英飞凌/赛米控/威科/新洁能/华润微的 IGBT 与 SiC 产品线。
常见问题
IGBT 模块的并联有什么要求？
并联路数越多均流难度越大：驱动回路阻抗一致、PCB 对称布局、热对称；di/dt 差异会导致环流与局部过热。一般 ≤4 并联，更多用模块内集成。
短路保护时间怎么定？
按器件 tsc 曲线（datasheet 的 SOA 图）：保护动作必须在二次击穿边界之前，典型 5~10μs 内拉低栅极；太慢二次击穿，太快误触发。
650V IGBT 和 1200V IGBT 怎么选？
按母线电压 + 降额（一般 20~30%）：400V 母线用 650V 级，800V 母线（车/OBC）用 1200V 级；1200V 器件损耗更高，电压裕量足够时不盲目选高压。
IGBT 和 SiC MOS 在逆变器里怎么选？
10~20kHz 以下、成本敏感选 IGBT；20kHz 以上（小体积高频化、油冷电驱、光伏组串优化）SiC MOS 效率与功率密度优势明显。1200V 场景两者竞争，按系统总成本算。
模块温度怎么监控？
模块内置 RC/NTC 温度传感器（引脚或单独引出），驱动板采集并做过温降额/保护；PCB 上热仿真验证热点，散热器界面用导热垫 + 扭矩控制。